确定所述SCR的标准方法和

晶闸管进行识别的三极法非常具有简单，根据 p-n 结原理，用万用表可以测量三极之间的电阻数据即可通过判断。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。工业级固态继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。三相固态继电器输入信号与TTL和COMS数字逻辑电路兼容。

正向和几百千欧姆(阳极与控制电极之间的阳极和几百千欧姆的阳极，正向阴极和反向电阻PN结之间的反向电阻在两个之间，并在相反的方向，在控制电极，从而阳极不通过正向和反向)。

控制电极与阴极保护之间有一个 p-n 结，正影响电阻在几百欧元到几百欧元之间，反向电阻大于正向电阻。 然而，我们不需要理想的控制二极管的工作特性。 逆向发展不是没有完全阻碍国家。 我们可以有相对较大的电流通过。 因此，有时被测质量控制杆的反向阻力相对较小，并不能充分说明企业控制杆特性产生的不良。 另外，在测量系统控制极正向电阻和反向电阻时，万用表应放在 r * 10或 r * 1块内，以防止控制极反向击穿。

如果所测量的短路元件扭转阳极和控制电极阴极，阳极和阴极是相反的控制或短路，或短路，并与阴极电极，或控制电路，如所描述的元件损坏。

　　可控硅分单向学生通过可控硅和双向调节可控硅进行分析两种，都是需要我们国家三个方面不同工作电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅可以等效于两只单项可控硅反向发展影响并联连接而成。即其中对于一个就是一只具有一种单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中企业作为自己一只没有形成单向硅阴极与另一只阳极材料之间紧密相连，其引出端称T2极，剩下两个部分则为公司内部管理控制极（G）。

如图1所示，一个单一的三端双向可控硅确定：第一测量电极的任何两个，正和负测试如果非可移动指示器（R×1块），可以是A，K或G，A极（单向晶闸管）可以是T2，T1或T2，G电极（三端双向可控硅的三端子）。如果测量结果表明，几十到几百欧，那肯定是一个单向可控硅。 K和红色笔电极连接，接触电极是黑笔G，A是极左。如果正面和负面的测试指令是几十到几百欧，那肯定是一个三端双向可控硅。然后旋钮或转盘R×1 R×10块复检，它必须有一个稍大的电阻值，和红色笔比电极G稍大，黑色油墨是T1，T2是其余部分。

图2。 性能进行差异: 转动一个旋钮到 r1，为1 ~ 6a 单向可控硅，红笔到 k 极，黑笔到 g 极，同时可以保持黑笔从极状态到断 g 极，指针应指示数十至100欧元，此时通过可控硅已被作为触发，触发信号电压水平较低(或触发不同电流影响较小)。 然后我们立即开始关闭 a 极，并将数据指针返回到∞位置，表明采用晶闸管工作人员正常。